IS61WV1288EEBLL-10TLI是一款高速8位bit容量1MB并口SRAM存储芯片,属于随机静态存储器,该器件由ISSI的高性能CMOS技术制造而成。将这种高可靠性的处理技术与创新的电路设计技术相结合,就产生了高性能和低功耗的器件,用于Internet存储器件、网络设备、远程通讯和移动通讯设备、计算机外设等,
ISSI从成立之初是以高速、低功耗 SRAM 和中低密度 DRAM为主打,并一直在SRAM领域深耕。为高增长市场提供低成本、高质量的SRAM存储产品,ISSI代理商满度科技为客户提供各类存储产品并提供关于产品的解决方案。
---128KX8 Asynchronous SRAM--
Part Number | Density | Org. | Pkg. | Voltage | Temp |
IS61WV1288EEBLL | 1M | 128Kx8 | TSOP2(44) | 2.4-3.6V | Industrial |
IS61WV1288EEBLL-8TLI | 1M | 128Kx8 | TSOP2(44) | 2.4-3.6V | Industrial |
IS61WV1288EEBLL-10TLI | 1M | 128Kx8 | TSOP2(44) | 2.4-3.6V | Industrial |
---64KX16 Asynchronous SRAM--
Part Number | Density | Org. | Pkg. | Voltage | Temp |
IS61WV6416DBLL | 1M | 64Kx16 | TSOP2(44) | 2.4-3.6V | Industrial |
IS61WV6416DBLL-10TLI | 1M | 64Kx16 | TSOP2(44) | 1.6V-2.2V | Industrial |
IS61WV6416DBLL-8TLI | 1M | 64Kx16 | TSOP2(44) | 2.4V-3.6V | Industrial |
IS61WV6416EEBLL | 1M | 64Kx16 | TSOP2(44) | 2.4-3.6V | Industrial |
IS61WV6416EEBLL-10TLI | 1M | 64Kx16 | TSOP2(44) | 2.4-3.6V | Industrial |
IS61WV6416EEBLL-8TLI | 1M | 64Kx16 | TSOP2(44) | 2.4-3.6V | Industrial |
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