P24C04C-MSH-MIR EEPROM在工业控制领域的表现卓越,得益于其低功耗CMOS技术、宽电压范围、高速时钟频率、Schmitt Trigger和滤波输入以减少噪声干扰、灵活的读取与写入功能以及可靠的写保护机制。这款EEPROM支持超过100万次的写入耐久性和长达100年的数据保持时间,展现了极高的耐用性。其多种封装选项和宽温度范围的适应性,使其能够灵活集成并稳定运行于各种工业环境。因此,P24C04C-MSH-MIR是工业控制应用中理想的存储解决方案,能够满足严苛的工作条件和长期稳定的性能需求。
普冉EEPROM凭借SONOS工艺,相比ETOX能降电压提效率。130nm制程优化减少芯片面积和成本。其1.2V系列功耗低,读写分别为0.14mA和0.28mA,待机仅0.03μA,适合电池设备。这些设计提升了性能和效率,降低了功耗,使普冉EEPROM在功耗敏感应用中优势明显。普冉代理满度科技为客户提供各类存储产品并提供关于产品的解决方案。
--I2C 4Kb EEPROM--
Part Number | Interface | Capacity (kb) | Pkg. | Voltage | Temp |
P24C04C-DXH-MIR | I2C | 4Kb | DFN8(2*3*0.75) | 1.7V~5.5V | -40℃~85℃ |
P24C04C-MSH-MIR | I2C | 4Kb | MSOP8 | 1.7V~5.5V | -40℃~85℃ |
P24C04C-DPH-MIR | I2C | 4Kb | PDIP8 | 1.7V~5.5V | -40℃~85℃ |
P24C04C-SSH-MER | I2C | 4Kb | SOP8(150 mil) | 1.7V~5.5V | -40℃~125℃ |
P24C04C-SSH-MIR | I2C | 4Kb | SOP8(150mil) | 1.7V~5.5V | -40℃~85℃ |
P24C04C-STH-MIR | I2C | 4Kb | SOT23-5 | 1.7V~5.5V | -40℃~85℃ |
P24C04C-TOH-MIR | I2C | 4Kb | TSOT23-5 | 1.7V~5.5V | -40℃~85℃ |
P24C04C-TSH-MIR | I2C | 4Kb | TSSOP8 | 1.7V~5.5V | -40℃~85℃ |
P24C04C-TSH-MER | I2C | 4Kb | TSSOP8 | 1.7V~5.5V | -40℃~125℃ |
P24C04C-UNH-MIR | I2C | 4Kb | UDFN8(2*3*0.5) | 1.7V~5.5V | -40℃~85℃ |
P24C04C-UNH-MER | I2C | 4Kb | UDFN8(2*3*0.5) | 1.7V~5.5V | -40℃~125℃ |
P24C04C-C6H-MIR | I2C | 4Kb | WLCSP6 | 1.7V~5.5V | -40℃~85℃ |
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