富士通FUJITSU代理商FRAM Memory铁电存储器MB85RQ4ML
富士通MB85RQ4ML FRAM铁电存储器使用工业标准串行外设接口ＳＰＩ及其传输规约进行双向传输，它最大可以达到20ＭＨＺ的操作速度。并且可以像ＲＡＭ一样快速读写，低功耗：工作电源电流1.5毫安、微待机电流，数据在掉电后可以保存１０年，能以总线速度进行写操作，无须延时、无须等待时间。当数据被移入芯片后，下一个总线周期可以立刻开始而无须进行数轮循。富士通铁电存储器使用高速ＳＰＩ接口增强了铁电技术的高速写数据能力。其具有比其它非易失性存储器高得多的读写操作次数，可以承受超过一万亿次的读写操作（而新开发的MB85RS1MT等提高到10万亿次）。
富士通半导体的FRAM具有非易失性、低功耗、高速烧写、高读写耐久性、随机存取等特点。富士通半导体掌握着FRAM的整个生产程序，保证FRAM产品的高质量和稳定供应。自1999年以来，FRAM产品已经连续供应15年以上，为很多客户提供高可靠的FRAM产品。FRAM因其能够做到实时记录数据、减少功耗、提高数据安全性等优势，正迅速占领智能电表\水表\气表领域、工业控制、工业自动化及医疗电子等市场领域，富士通代理商满度科技为客户提供多样化存储产品方案。
---512KX8 FeRAM--
| Part Number | Density | Org. | Pkg. | Voltage | Temp |
| MB85RQ4ML | 4Mbit | 512Kx8 | SOP-16 | 1.7 to 1.9V | Industrial |
| MB85RQ4MLPF-G-BCE1 | 4Mbit | 512Kx8 | SOP-16 | 1.7 to 1.9V | Industrial |
| MB85RQ4MLPF-G-BCERE1 | 4Mbit | 512Kx8 | SOP-16 | 1.7 to 1.9V | Industrial |
| MB85RS4MLY | 4Mbit | 512Kx8 | SOP-8 | 1.7 to 1.9V | AEC-Q100 |
| MB85RS4MLYPF-G-BCE1 | 4Mbit | 512Kx8 | SOP-8 | 1.7 to 1.9V | AEC-Q100 |
| MB85RS4MLYPF-G-BCERE1 | 4Mbit | 512Kx8 | SOP-8 | 1.7 to 1.9V | AEC-Q100 |
| MB85RS4MT | 4Mbit | 512Kx8 | SOP-8 | 1.8 to 3.6V | Industrial |
| MB85RS4MTPF-G-BCE1 | 4Mbit | 512Kx8 | SOP-8 | 1.8 to 3.6V | Industrial |
| MB85RS4MTPF-G-BCERE1 | 4Mbit | 512Kx8 | SOP-8 | 1.8 to 3.6V | Industrial |
| MB85RS4MTY | 4Mbit | 512Kx8 | SOP-8 | 1.8 to 3.6V | AEC-Q100 |
| MB85RS4MTYPF-G-BCE1 | 4Mbit | 512Kx8 | SOP-8 | 1.8 to 3.6V | AEC-Q100 |
| MB85RS4MTYPF-G-BCERE1 | 4Mbit | 512Kx8 | SOP-8 | 1.8 to 3.6V | AEC-Q100 |
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