Cypress赛普拉斯的FRAM Memory芯片CY15V108QN-40LPXIT采用Cypress高性能CMOS技术进行开发,可提供快速访问时间(8-12ns),能够作为各种应用领域的理想高性能解决方案。快速异步SRAM产品组合提供从64Kb到最高32Mb的密度范围。快速SRAM可提供业界标准电压、总线宽度及封装选项。Cypress快速异步SRAM适用于工业、汽车及辐射硬化温度等级。是一款高性能的铁电存储器(FRAM),具有非易失性、低功耗和快速访问等特点。它广泛应用于嵌入式系统、汽车电子、工业控制、消费电子和医疗设备等多个领域,为这些领域的设备提供了稳定可靠的数据存储解决方案。
Cypress的低功耗步SRAM产品包含业界最多样的异步低功耗SRAM产品组合,密度范围从64Kb至64Mb。低功耗SRAM提供业界标准电压、总线宽度及封装选项。 此装置提供领先业界的待机功率消耗(最大)规格。低功耗异步SRAM是各种应用中电池供电解决方案的理想选择。MoBL SRAM装置适用于工业、汽车及辐射硬化温度等级。Cypress一级代理满度科技为客户提供多样化存储产品方案。
---1MbX8 FRAM---
Part Number | Density | Org. | Pkg. | Voltage | Temp |
CY15B108QI-20LPXCT | 8Mbit | 1Mx8 | DSO-8 | 1.8-3.6V | 0~70 |
CY15B108QI-20LPXC | 8Mbit | 1Mx8 | DSO-14 | 1.8-3.6V | 0~70 |
CY15B108QI-20LPXI | 8Mbit | 1Mx8 | DSO-8 | 1.8-3.6V | -40~85 |
CY15B108QI-20LPXIT | 8Mbit | 1Mx8 | DSO-14 | 1.8-3.6V | -40~85 |
CY15B108QN-20LPXI | 8Mbit | 1Mx8 | WSON-8 | 1.8-3.6V | -40~85 |
CY15B108QN-20LPXC | 8Mbit | 1Mx8 | WSON-8 | 1.8-3.6V | 0~70 |
CY15B108QN-20LPXCT | 8Mbit | 1Mx8 | DSO-8 | 1.8-3.6V | 0~70 |
CY15B108QN-20LPXIT | 8Mbit | 1Mx8 | DSO-8 | 1.8-3.6V | -40~85 |
CY15B108QN-40SXIT | 8Mbit | 1Mx8 | DSO-8 | 1.8-3.6V | -40~85 |
CY15B108QN-40SXI | 8Mbit | 1Mx8 | DSO-8 | 1.8-3.6V | -40~85 |
CY15B108QN-40LPXIT | 8Mbit | 1Mx8 | DSO-8 | 1.8-3.6V | -40~85 |
CY15B108QN-40LPXI | 8Mbit | 1Mx8 | DSO-8 | 1.8-3.6V | -40~85 |
CY15V108QN-40LPXI | 8Mbit | 1Mx8 | DSO-28 | 2-3.6V | -40~85 |
CY15V108QN-40LPXIT | 8Mbit | 1Mx8 | DSO-28 | 2-3.6V | -40~85 |
CY15V108QI-20LPXI | 8Mbit | 1Mx8 | DSO-8 | 2-3.6V | -40~85 |
CY15V108QI-20LPXIT | 8Mbit | 1Mx8 | DSO-8 | 2-3.6V | -40~85 |
CY15V108QI-20LPXC | 8Mbit | 1Mx8 | DSO-8 | 2-3.6V | 0~70 |
CY15V108QI-20LPXCT | 8Mbit | 1Mx8 | DSO-8 | 2-3.6V | 0~70 |
CY15V108QN-20LPXC | 8Mbit | 1Mx8 | DSO-14 | 2-3.6V | 0~70 |
CY15V108QN-20LPXCT | 8Mbit | 1Mx8 | DSO-14 | 2-3.6V | 0~70 |
CY15V108QN-20LPXIT | 8Mbit | 1Mx8 | DSO-28 | 2-3.6V | -40~85 |
CY15V108QN-20LPXI | 8Mbit | 1Mx8 | DSO-28 | 2-3.6V | -40~85 |
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