普冉P25Q64SL-QVH：工业级存储明星

普冉股份（PUYA）在SPI NOR Flash领域以其技术创新、工艺领先和产品特性突出而著称。在NOR Flash存储芯片的研发设计上，普冉股份凭借先进的SONOS工艺和与赛普拉斯的技术合作，实现了低功耗、高可靠性和快速擦除读取，从而在行业中占据领先地位。普冉的产品支持宽电压范围和多种封装选项，新一代产品更是支持高达104MHz的高速时钟频率，提升了市场竞争力。在应用领域，普冉成功拓展至汽车电子市场，其中小容量产品已通过AEC-Q100认证，并应用于车载导航和中控娱乐系统等。普冉的产品线覆盖从512Kbit到128Mbit的全系列容量，满足市场的多样化需求，为客户提供了高性能、低功耗的存储解决方案，展现了其在SPI NOR Flash领域的创新和突破。

在功耗方面，普冉推出了业界首款1.1V SONOS工艺的SPI NOR Flash产品，这种超低电压设计显著降低了功耗，与2020年发布的40nm 1.8V产品相比，相同电流下的功耗降低了38%，四线读取功耗降低了60%。其次，普冉的产品如P25Q325N在保持高速读取（416Mbps的STR和640Mbps的DTR速率）的同时，实现了业界领先的低功耗水平，仅为2.86mW，这对于功耗敏感的应用场景尤为重要。普冉的SPI NOR Flash产品，以其1.05V至2V的电压兼容性，包括1.2V和1.8V系统，为不同电压要求的应用提供了灵活的解决方案。

P25Q64SL-QVH，这款64Mbit SPI NOR Flash存储器来自普冉半导体，它以8MB的存储容量、工业温度范围（-40°C至85°C）的支持和对SPI接口多种模式（Mode 0、Mode 3、单SPI、双SPI、四SPI、QPI）的兼容性而著称。该产品采用USON84x4x0.45封装，工作电压范围为1.65V至2.0V，支持256字节的页编程和页擦除，以及4K字节扇区擦除、32K/64K字节块擦除和全芯片擦除。除了其他特性，P25Q64SL-QVH这款存储器还拥有硬件锁定控制功能，配备了3个1024字节的一次性可编程(OTP)安全寄存器，并带有128位的唯一识别码。在功耗方面，它具有超低的深度功耗（1.0μA）、待机电流（18μA）和活跃读取电流（2.5mA），以及活跃编程或擦除电流（5.0mA）。此外，P25Q64SL-QVH支持100,000次编程/擦除周期，并保证数据保持时间为20年，使其成为需要灵活存储解决方案、快速数据访问和超低功耗应用的理想选择。

P25Q64SL-QVH在工业应用中表现出色，主要得益于其工业级温度范围（-40°C至85°C）的稳定性、1.65V至3.6V的宽电压支持、灵活的擦除架构、100,000次编程/擦除周期的高可靠性以及20年的数据保持期限。此外，其超低功耗特性（深度功耗1.0μA，待机电流18μA，活跃读取电流2.5mA，活跃编程或擦除电流5.0mA）有助于降低能耗，而硬件锁定保护和安全寄存器则增强了数据安全性。快速的编程和擦除速度（页编程2ms，页擦除10ms）确保了数据的即时访问，使得P25Q64SL-QVH非常适合需要快速数据读写和长期稳定存储的工业环境。

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