普冉半导体：功耗与性能的双重优化

普冉半导体作为非易失性存储领域的领先企业，通过采用双工艺架构（SONOS和ETOX）实现了从55nm到40nm的技术迭代，显著提升了产品的功耗、稳定性和兼容性。普冉半导体的技术进步，特别是在中小容量领域，通过SONOS工艺实现了成本和功耗的双重优化，使得其产品在低功耗、高可靠性以及快速擦除和读取方面成为行业佼佼者。

普冉的NOR Flash产品支持宽电压范围（1.65V-3.6V），并提供多种封装形式，如SOP8、USON8、WSON8、TSSOP8、WLCSP等，以及适用于合封主控芯片的KGD（Known Good Die），以适应不同的场景需求。普冉的一系列产品通过了AEC-Q100认证，适用于车辆导航和中控娱乐系统，这突显了普冉在汽车电子领域的技术专长和市场信誉。

普冉的存储产品线从512Kbit扩展至128Mbit，涵盖了全系列容量，并在40nm工艺下量产4Mbit至128Mbit的产品，展现了其在行业的领先地位。普冉半导体推出了其新一代SPI NOR Flash，这款产品特点是超低电压和超低功耗，同时支持1.1V电源系统和宽电压范围。在非易失性存储领域，普冉通过其基于40nm SONOS工艺的新产品，实现了10万次的擦写寿命和20年的数据保持期，同时提供了104MHz的STR四线和80MHz的DTR四线时钟频率，这有助于其在市场竞争中占据更稳固的地位。

P25Q64H-QVH是普冉半导体生产的64M-bitSPINOR Flash存储器芯片，具备2.3V至3.60V的工作电压范围和工业级温度范围（-40°C至85°C），支持SPI接口，兼容模式0和模式3，以及单SPI、双SPI、四SPI和QPI操作。P25Q64H-QVH芯片的设计包含了256字节页面的编程和擦除，以及4K字节的扇区擦除和32K/64K字节的块擦除能力，此外还能执行全芯片擦除，显示了其在数据存储方面的高效性。P25Q64H-QVH芯片具有硬件锁定保护，包括3个1024字节的OTP安全寄存器用于一次性编程，128位唯一设备ID，以及快速编程和擦除的性能。它具有超低功耗特性，深度功耗下降电流为1.0uA，待机电流为18uA，活跃读取电流为2.5mA，活跃编程或擦除电流为5.0mA。对于消费电子产品而言，P25Q64H-QVH芯片是理想的选择，它不仅保证了20年的数据保持，还能承受100,000次的编程/擦除周期，满足高速数据访问和大容量存储的需求。

P25Q64H-QVH芯片的应用范围广泛，覆盖了消费电子、工业控制、汽车电子以及物联网等多个行业。针对需要大容量存储、迅速数据访问和低能耗的应用，如蓝牙耳机、TDDI、AMOLED等消费电子设备，以及工业控制系统和车载导航装置，这款芯片表现卓越。P25Q64H-QVH芯片得益于其工业级的温度耐受性和宽电压支持，能够在极端的工作条件下稳定工作。其灵活的擦除架构和页面擦除粒度使其成为数据存储的理想选择，同时，高可靠性和长数据保持期限也使其在汽车电子系统中得到应用。普冉半导体生产的P25Q64H-QVH芯片，凭借其出色的性能和多用途性，在现代电子设备中扮演了关键角色。

关于满度科技 

深圳市满度科技有限公司始终坚持专注于高性能、高质量和高可靠性的集成电路产品代理，包括存储芯片、差分晶振和MCU微控制器产品，并逐步开展融合模拟信号链产品， 为客户提供全方面高性价比的解决方案。其应用范围涵盖网络通讯，工业控制、机器人，医疗设备、个人健康等众多领域。 

业务：sales@manduic.com

网址：www.manduic.com 

销售：+86 150-1290-5940 

#关键词：满度科技、普冉、ISSI、爱普生、鸿星、nor FLASH、FLASH，晶振