富士通FRAM：低功耗与高耐久性的结合

富士通的FRAM（铁电随机存取存储器）技术以其卓越的性能和创新技术在存储领域中占据领先地位。FRAM芯片以其极高的读写耐久性（可达10万亿次）、极速的写入能力（150ns内完成）和低功耗（每字节150nJ）而著称，这些特性使得FRAM在电池供电的应用中表现尤为突出。此外，FRAM还具有出色的抗辐射性能，使其适用于医疗等辐射环境。富士通的FRAM产品系列不仅容量从4Kb到4Mb，而且还在向更大容量的产品线扩展。在技术创新方面，富士通推出了QSPI接口以提高通讯速率，并减少引脚数量以节省功耗和成本。

富士通生产的MB85RS128TYPNF-G-AWE2芯片，凭借其128Kb的FRAM存储容量和SOP-8封装设计，在1.8V至3.6V的操作电压范围内表现出色，同时，它还能在-40°C至125°C的宽广工作温度范围内保持稳定的运行状态。这款芯片具备非易失性存储特性，支持高达20MHz（或50MHz）的时钟频率，通过SPI接口进行通信。它拥有超过一万亿次的读写耐久性和在+85°C下至少10年的数据保持能力。这款芯片的工作电源电流为1.5毫安，待机电流非常低，支持快速写入数据，无需任何延时或等待，同时能够实现RAM般的快速随机存取。这款芯片适用于汽车电子等高可靠性应用，具有在极端温度下保持数据可靠性的能力，并已在汽车环境中实现超过5亿件的出货量。与闪存、EEPROM、电池供电型SRAM等相比，FRAM在降低系统成本、提升系统效率、降低复杂性以及大幅降低功耗方面具有显著优势。

MB85RS128TYPNF-G-AWE2 FRAM的应用范围广泛，覆盖智能卡、电力仪表、医疗设备和汽车电子等多个领域。在汽车电子系统中，FRAM芯片可用于智能安全气囊、自动驾驶辅助系统等关键部件。在计量系统中，FRAM芯片在智能电表、水表和煤气表中发挥着重要作用。FRAM技术也适用于需要长期保存数据的设备，如特殊部门的敏感数据存储，以及工业控制和自动化系统中的重要配置参数和运行日志。此外，FRAM还适合用于射频识别(RFID)标签和手持式测量设备，如血糖测量仪，确保在供电故障时数据不丢失。这些应用场景体现了FRAM芯片在需要快速、大容量、耐久性存储解决方案的市场中的多样化和适应性，使其在智能电表、水表、气表、工业控制、工业自动化和医疗电子等领域迅速占领市场。

富士通还在积极推动下一代存储技术NRAM的发展，以进一步拓展市场前景。NRAM技术以其更高的存储密度、更快的读写速度和更低的功耗，有望成为未来存储技术的新标准。通过不断的技术创新和产品开发，富士通致力于为客户提供更高效、更可靠的存储解决方案，满足日益增长的市场需求。

关于满度科技 

深圳市满度科技有限公司始终坚持专注于高性能、高质量和高可靠性的集成电路产品代理，包括存储芯片、差分晶振和MCU微控制器产品，并逐步开展融合模拟信号链产品， 为客户提供全方面高性价比的解决方案。其应用范围涵盖网络通讯，工业控制、机器人，医疗设备、个人健康等众多领域。 

业务：sales@manduic.com

网址：www.manduic.com 

销售：+86 150-1290-5940 

#关键词：满度科技、普冉、ISSI、爱普生、鸿星、nor FLASH、FLASH，晶振